| 摘要 |
본 발명의 두 개의 전극이 금속층으로 형성되는 SAW 필터의 커패시터는 IDT 전극이 형성되어 있는 기판에 형성되어 커패시터의 하나의 전극을 이루는 제1 금속층과 IDT 전극 및 제1 금속층 상부에 형성되는 절연층과 절연층 상부에 형성되며 커패시터의 또 다른 전극을 이루는 제2 금속층을 포함한다. 본 발명의 두 개의 전극이 금속층으로 형성되는 SAW 필터의 커패시터는 본 발명은 SAW 소자의 저역 차단 특성을 개선 시킬 수 있는 효과가 있으며 공정을 추가하지 않으면서도 저역 차단 특성을 개선한 커패시터를 구현할 수 있는 효과가 있다. |
