易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物

摘要

本发明涉及一种易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物，采用以下方法制备：（1）将吡唑或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液中，吡唑或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应，得到反应混合物；（2）将步骤（1）得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体与甲苯混合，得到锂盐的甲苯溶液；（3）在‑78～0℃按照锂盐与二氯化锗摩尔比2:1～1.1，将锂盐的甲苯溶液滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；（4）将步骤（3）得到的反应混合物进行过滤，所得滤渣进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物。本发明合成方法简便、合成条件温和，具有良好的成膜性能。

主权项

一种具有通式(Ⅰ)的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物：其中，R¹、R²、R³选自氢原子、C₁～C₆烷基。