一种低介电常数低介电损耗因子的聚酰亚胺薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种低介电常数低介电损耗因子的聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括采用二酐和二胺制备成聚酰胺酸溶液，并和纳米级含氟高分子粉体、纳米级三氧化二铝粉体、纳米级二氧化硅粉体等添加剂一起制备聚酰亚胺薄膜，其特征是所述添加剂占聚酰胺酸中的重量比为10%‑50%；本发明得到的一种低介电常数低介电损耗因子的聚酰亚胺薄膜，在能够保持良好的机械性能的基础上，实现了介电常数≤2.6，介电损耗因子≤0.003，且工艺简单，原料易购价格低廉。

主权项

一种低介电常数低介电损耗因子的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在是，包括以下步骤：（1）将二胺放入反应釜中，并用极性非质子溶剂溶解，然后再分批加入二酐到反应釜中，搅拌，制备成所需的聚酰胺酸溶液； （2）将纳米级含氟高分子粉体、纳米级三氧化二铝粉体、纳米级二氧化硅粉体三种添加剂均匀混合，然后加入到极性非质子溶剂中，分散均匀，制备成浆料；（3）将制备好的浆料加入上述制备的聚酰胺酸溶液的反应釜中，然后加入极性非质子溶剂调节控制最后反应生成物的粘度达到80000±1000CP，然后脱泡流延成膜即可。