| 发明名称 |
ドリフト領域の下にキャビティを備えるＤＭＯＳトランジスタ |
| 摘要 |
A lateral DMOS transistor formed on a silicon-on-insulator (SOI) structure has a higher breakdown voltage that results from a cavity that is formed in the bulk region of the SOI structure. The cavity exposes a portion of the bottom surface of the insulator layer of the SOI structure that lies directly vertically below the drift region of the DMOS transistor. |
| 申请公布号 |
JP6073862(B2) |
申请公布日期 |
2017.02.01 |
| 申请号 |
JP20140508559 |
申请日期 |
2012.04.26 |
| 申请人 |
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社;テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド |
发明人 |
ウィリアム フレンチ;ウラディスラフ ヴァシチェンコ;リチャード ウェンデル フート;アレクセイ サドブニコフ;プニ ボラ;ピーター ジェイ ホッパー |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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