发明名称 PROTECTION CIRCUIT OF POWER AMPLIFICATION MODULE AND POWER AMPLIFICATION MODULE USING THEREROF
摘要 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전력 증폭 모듈의 보호 회로는, RF 신호의 이득을 조절하는 드라이브 증폭기를 포함하는 전력 증폭 모듈의 보호 회로에 있어서, 제1 기준 전류에 미러링된 전류를 드라이브 증폭기의 바이어스 전류로 공급하는 제1 전류 미러와, 전력 증폭 모듈로부터 출력되는 전압의 크기에 따라 제1 기준 전류를 싱크함으로써, 드라이브 증폭기의 바이어스 전류를 조절하는 전류 싱크부를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR20170010553(A) 申请公布日期 2017.02.01
申请号 KR20150102319 申请日期 2015.07.20
申请人 삼성전기주식회사 发明人 홍경희;황현석;김정훈
分类号 H03F1/52;H03F1/30;H03F3/19 主分类号 H03F1/52
代理机构 代理人
主权项
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