发明名称 一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
摘要 本发明公开了一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置,所述像素阵列结构的制作方法包括:在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;沿着所述源漏金属层的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道。该制作方法通过改变现有技术的沟道制作工艺,在有源层上继续形成不完全覆盖的掺杂有源层,并对掺杂有源层和有源层同时进行刻蚀,由于掺杂有源层可以将其视为导体,可以等同于将漏极边长,从而形成沟道长度变短的效果,进一步达到提高开态电流的目的。
申请公布号 CN103700667B 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201310697673.2 申请日期 2013.12.18
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 李田生
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李迪
主权项 一种像素阵列结构的制作方法,其特征在于,包括:S1、在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;S2、在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;S3、对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;S4、沿着源极和漏极的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道,其中,沿着源极和漏极的边缘对掺杂有源层和有源层进行不完全刻蚀,形成优化沟道;步骤S4中刻蚀所述掺杂有源层和刻蚀所述有源层同时进行。
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