一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列结构及其制作方法、基于该阵列结构的阵列基板和显示装置，其中阵列结构的制作方法是在栅绝缘层上形成源漏极金属层之前还包括：对源漏极金属信号接入端子所在位置对应的栅绝缘层进行刻蚀，在栅绝缘层上形成过孔结构；或者在栅绝缘层上形成源漏极金属层之后还包括：在源漏极金属信号接入端子所在位置对应的源漏极金属层上形成过孔结构，过孔结构的两侧具有缓和的斜坡。通过对源漏极金属层下方的栅绝缘层进行刻蚀，降低源漏极金属层上方的导电膜层的高度；或者对源漏极金属层进行刻蚀，形成两侧具有缓和斜坡的过孔结构，交替布线中SD基和Gate基上方的ITO高度相同，使得导电球受力更加均匀，提高导线性能。

主权项

一种阵列结构的制作方法，其特征在于，在栅绝缘层上形成源漏极金属层之前还包括：对源漏极金属信号接入端子所在位置对应的栅绝缘层进行刻蚀，在所述栅绝缘层上形成过孔结构；对源漏极金属信号接入端子所在位置对应的栅绝缘层进行刻蚀之后还包括：在具有过孔结构的栅绝缘层上方逐层形成源漏极金属层；然后对所述源漏极金属层在所述过孔结构所对应的位置进行与所述过孔结构相同的刻蚀，继续在所述源漏极金属层上形成钝化层，在所述钝化层上与所述过孔结构对应的位置进行与所述过孔结构相同的刻蚀，最后形成导电膜层；所述源漏金属层的上方与栅电极层的上方，用于连接相邻IC引脚的导电膜层高度相同。