高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法。高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的实施例，包括栅极电极于半导体基材上、及多层半导体帽冠于半导体基材上且邻于栅极电极。多层半导体帽冠包含第一半导体层及材质异于第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层通过第一间隔而与栅极电极侧向相间隔，而第二半导体层通过较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。如此所形成的高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的电阻会下降，而能优越地改善晶体管的导电度(Gm)及通态电流(Ion)特性，却不增加漏电电流。

主权项

一种高速电子迁移率场效晶体管，其特征在于，包含：一栅极电极于一半导体基材之上；以及一多层半导体帽冠于该半导体基材之上且邻于该栅极电极，其中该多层半导体帽冠包含：一第一半导体层，其中该第一半导体层通过一第一间隔而与该栅极电极侧向相间隔；以及一第二半导体层，包含相异于第一半导体层的一材质，其中该第二半导体层通过一较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。