发明名称 基于金属牺牲层工艺的弹性电路制备方法
摘要 本发明公开了一种基于金属牺牲层工艺的弹性电路制备方法;包括如下步骤:在基底上粘贴金属薄膜;在金属薄膜的表面旋涂光刻胶并光刻电路及焊盘版图;在电路及焊盘版图区域制作金属电路和焊盘,接着旋涂光敏型有机可溶聚合物并光刻阻焊层版图;在焊盘上焊接电子元器件;去除光刻胶及光敏型有机可溶聚合物,浇铸上层弹性聚合物并固化;将金属薄膜及其上层结构从基底上剥离;刻蚀金属薄膜;旋涂下层弹性聚合物并固化,即可。本发明无需淀积金属种子层,彻底克服了因弹性聚合物与金属热匹配不同导致的金属导线裂纹或断路问题;同时,取消了应力缓冲层,简化了工艺流程,仅需光刻、电镀和刻蚀工艺即可,具有成品率高、焊接简易、并兼容回流焊工艺。
申请公布号 CN106376180A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201610674619.X 申请日期 2016.08.16
申请人 上海交通大学 发明人 陈迪;林树靖;彼得·布兰得利·沙尔;徐俊凯;仇三铭;韦黔;崔大祥
分类号 H05K3/00(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I 主分类号 H05K3/00(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中;陈少凌
主权项 一种基于金属牺牲层工艺的弹性电路制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、在基底上粘贴金属薄膜;S2、在所述金属薄膜的表面制作金属电路和焊盘,在焊盘上焊接电子元器件后,浇铸上层弹性聚合物并固化;S3、将所述金属薄膜及其上层结构从所述基底上剥离;S4、刻蚀所述金属薄膜;S5、旋涂下层弹性聚合物并固化,完成弹性电路制备。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号