发明名称 片状多层陶瓷电容
摘要 本实用新型提供一种片状多层陶瓷电容,具有提高的抗弯曲强度。所述的片状多层陶瓷电容,包括:多个片状内电极,以交错方式叠合;陶瓷介质层,设置在各所述多个片状内电极之间及外侧,并使得所述多个片状内电极的相对的两端部露出;端电极,覆盖在所述的两端部,从而能够电导通所述多个片状内电极;以及高强度瓷介,形成在所述陶瓷介质层上。
申请公布号 CN205920877U 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201620591393.2 申请日期 2016.06.15
申请人 格力电器(合肥)有限公司;珠海格力电器股份有限公司 发明人 张成成;崔斌;杨善明;项永金
分类号 H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 H01G4/30(2006.01)I
代理机构 北京煦润律师事务所 11522 代理人 梁永芳
主权项 一种片状多层陶瓷电容,包括:多个片状内电极,以交错方式叠合;陶瓷介质层,设置在各所述多个片状内电极之间及外侧,并使得所述多个片状内电极的相对的两端部露出;端电极,覆盖在所述的两端部,从而能够电导通所述多个片状内电极;以及高强度瓷介,形成在所述陶瓷介质层上。
地址 230088 安徽省合肥市高新区柏堰科技园铭传路208号