发明名称 |
片状多层陶瓷电容 |
摘要 |
本实用新型提供一种片状多层陶瓷电容,具有提高的抗弯曲强度。所述的片状多层陶瓷电容,包括:多个片状内电极,以交错方式叠合;陶瓷介质层,设置在各所述多个片状内电极之间及外侧,并使得所述多个片状内电极的相对的两端部露出;端电极,覆盖在所述的两端部,从而能够电导通所述多个片状内电极;以及高强度瓷介,形成在所述陶瓷介质层上。 |
申请公布号 |
CN205920877U |
申请公布日期 |
2017.02.01 |
申请号 |
CN201620591393.2 |
申请日期 |
2016.06.15 |
申请人 |
格力电器(合肥)有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
发明人 |
张成成;崔斌;杨善明;项永金 |
分类号 |
H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京煦润律师事务所 11522 |
代理人 |
梁永芳 |
主权项 |
一种片状多层陶瓷电容,包括:多个片状内电极,以交错方式叠合;陶瓷介质层,设置在各所述多个片状内电极之间及外侧,并使得所述多个片状内电极的相对的两端部露出;端电极,覆盖在所述的两端部,从而能够电导通所述多个片状内电极;以及高强度瓷介,形成在所述陶瓷介质层上。 |
地址 |
230088 安徽省合肥市高新区柏堰科技园铭传路208号 |