基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法

摘要

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。

主权项

一种基于神经网络芯片的存储结构，其特征在于，应用于对输入的模拟信号进行M位进制的转换后存储，所述存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于所述衬底上；存储阵列，制备于所述N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括至少两个存储列；其中，一存储列预存储有参考电压，相邻的两个存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，3≤M≤N，M和N均为整数；以及所述N位模数转换电路利用所述参考电压得到所述M位进制信号的权重，通过读取所述M位进制信号的权重得到所述M位进制信号。