发明名称 一种碳膜电阻器碳膜的复合型制备方法
摘要 本发明公开了一种碳膜电阻器碳膜的复合型制备方法,其具体制备步骤为:(1)将准备覆上碳膜的绝缘基体依次置入水、乙醇中超声,用洁净空气吹干后,置入真空镀膜机中镀上一层底层碳膜层;(2)将羧甲基纤维素钠、酚醛树脂、碳墨、石墨和玻璃粉混合配成悬浮液;(3)将悬浮液均匀涂覆在镀好的碳膜上,再置入加热炉中进行热聚合;本发明的有益效果是:采用真空蒸镀和溶液热聚合复合方式制作碳膜,使碳膜整体结构更加均匀、致密,制成的碳膜电阻器稳定性更高。
申请公布号 CN106373686A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201610773436.3 申请日期 2016.08.31
申请人 安徽斯迈尔电子科技有限公司 发明人 曹维常
分类号 H01C17/20(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I 主分类号 H01C17/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种碳膜电阻器碳膜的复合型制备方法,其特征在于其具体制备步骤为:(1)将准备覆上碳膜的绝缘基体依次置入水、乙醇中超声15‑20min,用洁净空气吹干后,置入真空镀膜机中镀上一层2‑5μm的底层碳膜层,设置真空镀膜机镀膜时真空度达到5×10<sup>‑4</sup>以上,镀膜速度控制在10‑20nm/s;(2)将羧甲基纤维素钠、酚醛树脂、碳墨、石墨和玻璃粉混合配成悬浮液,悬浮液溶剂体积占比为90‑93%;(3)将步骤(2)中悬浮液均匀涂覆在步骤(1)镀好的碳膜上,再置入加热炉中进行热聚合,聚合温度设定为240‑260℃。
地址 233400 安徽省蚌埠市怀远经济开发区
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