| 发明名称 | 基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法，该方法包括：在铝镓氮势垒层上方依次沉积氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层；对左右两侧区域的氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层分别进行刻蚀，形成欧姆刻蚀孔；依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对欧姆刻蚀孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；在欧姆刻蚀孔中，欧姆刻蚀孔上方及四乙氧基硅烷氧化层上方沉积欧姆电极金属层，对沉积了欧姆电极金属层的AlGaN/GaN HEMT进行退火处理；对四乙氧基硅烷氧化层上方的中间区域的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成欧姆接触电极。使欧姆电极金属层与铝镓氮势垒层之间形成了良好的欧姆接触，有效降低器件的欧姆接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN106373874A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201510432421.6 | 申请日期 | 2015.07.21 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 刘美华;陈建国;李杰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘丹;黄健 |
| 主权项 | 一种基于AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触电极的制造方法，其特征在于，包括：在铝镓氮势垒层上方依次沉积氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层；对左右两侧区域的氮化硅钝化层和四乙氧基硅烷氧化层分别进行刻蚀，形成欧姆刻蚀孔；依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对所述欧姆刻蚀孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；在所述欧姆刻蚀孔中，所述欧姆刻蚀孔上方及所述四乙氧基硅烷氧化层上方沉积欧姆电极金属层；对沉积了所述欧姆电极金属层的所述AlGaN/GaN HEMT进行退火处理；对所述四乙氧基硅烷氧化层上方的中间区域的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成欧姆接触电极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||