| 发明名称 | 多晶硅沉积方法及用于其的沉积装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括去氢处理工艺的多晶硅沉积方法及用于该多晶硅沉积方法的沉积装置。 | ||
| 申请公布号 | CN106373908A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610573933.9 | 申请日期 | 2016.07.20 |
| 申请人 | 成均馆大学校产学协力团 | 发明人 | 徐祥准 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京度衡知识产权代理有限公司 11601 | 代理人 | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 主权项 | 一种多晶硅沉积装置，包括：基材装载部，其用于装载基材；基材输送部，与所述基材装载部结合，并用于交替移动所述基材；及模组，该模组包括：用于在所述基材上沉积非晶硅的等离子部、用于除去所述非晶硅内的氢的去氢处理部和用于对沉积的所述非晶硅进行激光退火的激光部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||