| 发明名称 | 固态成像元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件具备：第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，其位于半导体层内，并且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的区域内；第二导电型的第二杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧以及内侧的区域内；第一导电型的第三杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的第二端部相比靠外侧的第二杂质区域的上层，且与第二杂质区域相接。 | ||
| 申请公布号 | CN106373972A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610580088.8 | 申请日期 | 2016.07.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 関泽充生;桑沢和伸;中村纪元;远藤刚廣 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种固态成像元件，具备：第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，其位于所述半导体层上；栅电极，其位于所述栅极绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，其位于所述半导体层内，并且至少位于在俯视观察时与所述栅电极的第一端部相比靠外侧的区域内；第二导电型的第二杂质区域，其位于所述半导体层内，并且位于在俯视观察时与所述栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧以及内侧的区域内；第一导电型的第三杂质区域，其位于所述半导体层内，并且位于在俯视观察时与所述栅电极的第二端部相比靠外侧的所述第二杂质区域的上层，且与所述第二杂质区域相接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||