发明名称 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
摘要 本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时,捕获脉冲图形;示波器具有第一通道和第二通道,第一通道具有第一内阻R1,第二通道具有第二内阻R2,待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联,脉冲源与待测RRAM器件连接,示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明,解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题,使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压,而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。
申请公布号 CN103531250B 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201310491719.5 申请日期 2013.10.18
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明
分类号 G11C29/56(2006.01)I 主分类号 G11C29/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,其特征在于,该电路包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,其中:半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时,捕获脉冲图形;示波器具有第一通道和第二通道,第一通道具有第一内阻R1,第二通道具有第二内阻R2,待测RRAM器件与示波器第一通道的第一内阻R1串联,脉冲源与待测RRAM器件连接,示波器的第二通道并联连接于待测RRAM器件与第一内阻R1的串联支路;其中,所述示波器的第一通道,选择该通道内阻为50Ω,由于待测RRAM器件电阻远远大于50Ω,所以串联后的电阻只考虑待测RRAM器件的电阻;或者,所述示波器的第二通道,选择该通道内阻为50Ω,由于待测RRAM器件电阻远远大于50Ω,所以并联后的电阻为50Ω;由于脉冲源内阻R为50Ω,用户需要为脉冲源匹配一个阻值,该匹配阻值为定值;匹配阻值设定好之后,脉冲源内阻R需要分得一部分电压;脉冲源经过内部计算,得出脉冲源实际发出的脉冲幅度。
地址 100083 北京市朝阳区北土城西路3号
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