发明名称 一种金刚石桥膜结构微型红外光源芯片及制备方法
摘要 一种金刚石桥膜结构微型红外光源芯片及制备方法,涉及红外技术领域。所述金刚石桥膜结构微型红外光源芯片设有衬底、支撑层、电隔离层、电加热层、金属电极。以清洗处理后的基片的器件层为支撑层;在支撑层上制备电隔离层;在电隔离层上制备电加热层;在衬底上的电加热层位置制备金属电极;沿着与金属电极长边垂直且靠近衬底内侧边缘的方向对电加热层的两侧进行刻蚀,穿过电加热层、电隔离层、支撑层和隔离氧化硅层,形成凹弧形桥面结构;在基片的另一侧,采用干法刻蚀技术对其刻蚀,以隔离氧化层作为刻蚀停止层,形成背部空腔结构,使得支撑层、电隔离层和电加热层悬浮在框架上,形成凹弧形桥式结构,得金刚石桥膜结构微型红外光源芯片。
申请公布号 CN104291263B 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201410421880.X 申请日期 2014.08.25
申请人 厦门脉科优芯电子科技有限公司 发明人 伞海生;陈然斌;张强
分类号 B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人 马应森
主权项 一种金刚石桥膜结构微型红外光源芯片,其特征在于设有衬底、支撑层、电隔离层、电加热层、金属电极;所述电加热层沉积在电隔离层上表面,金属电极通过电极粘附层沉积在电加热层上,电隔离层制备在支撑层上表面,支撑层制备在隔离氧化硅层上表面,所述隔离氧化硅层制备在衬底的顶部,在衬底的底部加工刻蚀停止层并形成背部空腔结构,电加热层、电隔离层、支撑层和隔离氧化硅层在衬底上形成凹弧形桥面结构;所述支撑层为硅薄膜支撑层、氧化硅薄膜支撑层、氮化硅薄膜支撑层或氧化硅与氮化硅多层复合膜薄膜支撑层;支撑层前后两端与衬底接触形成桥式悬浮薄膜结构;支撑层侧面两端做成凹弧形状;所述电隔离层采用氧化硅电隔离层或氮化硅电隔离层,所述电隔离层将支撑层与电加热层隔离;所述电加热层采用n型或p型的金刚石材料或类金刚石材料;电加热层采用矩形电加热层,并沉积在电隔离层上;所述电极采用复合金属层电极,电极底层使用薄的钛或铬金属作为粘附层,在粘附层上再沉积金属层,所述金属层为金层、铂层或铝层。
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