一种射频功率放大器模块及射频前端模块

摘要

本申请公开了一种射频功率放大器模块及射频前端模块，其中，所述射频功率放大器模块包括：基于SOI工艺或CMOS工艺的控制器，所述控制器包括衬底以及位于所述衬底表面的功能结构，所述衬底表面具有至少一个凹槽；位于所述凹槽中的功率放大器模块，所述功率放大器模块通过所述控制器的再布线层与所述控制器连接；位于所述凹槽中或所述衬底表面的开关模块，所述开关模块通过所述控制器的再布线层与所述控制器及功率放大器连接。所述射频功率放大器模块通过降低实现所述控制器、功率放大器模块及开关模块之间电气连接的焊盘尺寸及走线的线宽线距的方式，降低了所述焊盘占用的所述衬底面积以及所使用的键合线数量，从而降低自身成本。

主权项

一种射频功率放大器模块，其特征在于，包括：基于SOI工艺或CMOS工艺的控制器，所述控制器包括衬底以及位于所述衬底表面的功能结构，所述衬底表面具有至少一个凹槽；位于所述凹槽中的功率放大器模块，所述功率放大器模块通过所述控制器的再布线层与所述控制器连接；位于所述凹槽中或所述衬底表面的开关模块，所述开关模块通过所述控制器的再布线层与所述控制器及功率放大器连接。