一种发光二极管及其制造方法

摘要

一种发光二极管，包括：导电衬底；位于导电衬底上的导电层；位于导电层上的N型掺杂的GaN层；位于N型掺杂的GaN层上的发光层，所述发光层包括三个量子阱发光单元；位于发光层上的P型掺杂的GaN层；位于P型掺杂的GaN层上的透明导电层；位于透明导电层上的金属接触电极；三个量子阱发光单元可分别发出紫外光、绿光和蓝光；在发紫外光的量子阱发光单元上部的透明导电层上设置有红色荧光粉。还提供了一种发光二极管的制造方法，发光层位于N型掺杂的GaN层上，利用紫外光激发红色荧光粉发出红光，然后与绿光和蓝光复合成白光，从而得到高效率、高显色指数的发光二极管。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供N型掺杂的GaN层，在所述N型掺杂的GaN层正面上制作发光层，所述发光层包括三个量子阱发光单元，所述三个量子阱发光单元分别可发出紫外光、绿光和蓝光，所述三个量子阱发光单元依次排列；步骤二：在所述发光层上沉积P型掺杂的GaN层，然后在P型掺杂的GaN层上沉积透明导电层；步骤三：在上述N型掺杂的GaN层反面沉积共晶金属；提供一导电衬底，在导电衬底上沉积共晶金属，将上述GaN层反面沉积的共晶金属和导电衬底上沉积的共晶金属进行共晶处理形成导电层；步骤四：在发紫外光的量子阱发光单元上部的透明导电层上进行刻蚀，在该刻蚀区域上涂覆红色荧光粉；步骤五：在上述透明导电层的部分区域上沉积金属形成接触电极。