| 发明名称 | 一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次沉积叠加在所述衬底层上，所述第一GeSbTe材料层为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层为纯相的GeSbTe相变材料。本发明的基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热稳定性高、一致性好、箱变速度快和使用寿命长特点。 | ||
| 申请公布号 | CN106374045A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610962686.1 | 申请日期 | 2016.10.28 |
| 申请人 | 广东石油化工学院 | 发明人 | 朱伟玲;陈星源;古迪 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人 | 潘丽君 |
| 主权项 | 一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：包括为衬底层（100）、下电极层（200）、第一GeSbTe材料层（300）、二硫化钼层（400）、第二GeSbTe材料层（500）、石墨烯层（600）、上电极层（700）和保护层（800），所述下电极层（200）、第一GeSbTe材料层（300）、二硫化钼层（400）、第二GeSbTe材料层（500）、石墨烯层（600）、上电极层（700）、保护层（800）依次沉积叠加在所述为衬底层（100）上，所述第一GeSbTe材料层（300）为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层（500）为纯相的GeSbTe相变材料。 | ||
| 地址 | 525000 广东省茂名市官渡二路139号大院 | ||