| 发明名称 | 等离子体化学气相沉积装置以及成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种能够在立体形状的基材的侧面使膜均匀性良好地成膜的等离子体CVD装置。为此，本发明的一方式是一种等离子体CVD装置，其具备：腔室(11)；提供高频输出的高频电源(6)；配置在所述腔室内，与所述高频电源电连接，并在表面具有用于配置基材(12)的凸部(14a)的第1电极(14)；和向所述腔室内导入原料气体的气体导入口(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN106367729A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610511764.6 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 友技科株式会社 | 发明人 | 桥本卫;铃木光博;阿部浩二 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李逸雪 |
| 主权项 | 一种等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，具备：腔室；高频电源，其提供高频输出；第1电极，其配置在所述腔室内，与所述高频电源电连接，并在表面具有用于配置基材的凸部；和气体导入口，其向所述腔室内导入原料气体。 | ||
| 地址 | 日本国千叶县 | ||