| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106373975A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610423517.0 | 申请日期 | 2016.06.15 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 绵贯真一;中柴康隆 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 陈伟;闫剑平 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其具有平面形状是四方形状的中介层，其特征在于，所述中介层具有沿着第一方向配置的多个相同的功能块，所述功能块具有配置电子设备的第一区域、配置光设备的第二区域以及多个光波导，在各个所述功能块中，所述第二区域配置于所述第一区域与所述中介层的沿着所述第一方向的第一边之间，所述多个光波导配置于所述第二区域与所述第一边之间，从所述第二区域向所述第一边延伸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||