| 发明名称 | 半导体存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件包括：多个存储单元，耦接到多个字线；字线去激活电压发生块，适用于产生具有与温度范围相对应的不同的电压电平的字线去激活电压；以及字线驱动块，适用于用从字线去激活电压中选择的字线去激活电压来驱动要被去激活的字线。 | ||
| 申请公布号 | CN106373604A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610213393.3 | 申请日期 | 2016.04.07 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金昌铉;金旼昶;李度润;李在真;郑宪三 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：多个存储单元，耦接到多个字线；关断电压发生块，适用于产生字线去激活电压，字线去激活电压具有与多个温度相对应的不同的电压电平；以及字线驱动块，适用于用从字线去激活电压中选择的字线去激活电压来驱动要被去激活的字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||