| 发明名称 | 超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底以及位于衬底之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层、介质层和栅极。其制备方法包括：①形成石墨烯层；②沉积介质层；③在介质层上，通过光刻胶图形覆盖沟道区域；④腐蚀掉暴露出来的介质层；⑤刻蚀掉暴露出来的石墨烯层；⑥蒸发源漏极欧姆接触金属，形成欧姆接触金属层；⑦通过光刻胶图形覆盖所需要的源极和漏极区域；⑧形成源极和漏极；⑨形成栅极。本发明的方法实现了源漏欧姆接触金属与石墨烯的一维线接触，从而大大减小石墨烯与金属的接触电阻，从而增大最大振荡频率，有利于实现石墨烯场效应晶体管的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103985762B | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201410121742.X | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 蔚;冯志红;李佳;刘庆彬;何泽召 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底（1）以及位于衬底（1）之上的源极（5）和漏极（7），其特征在于：源极（5）和漏极（7）之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层（2）、介质层（3）和栅极（6）；所述晶体管中石墨烯的一维边界与源极（5）、漏极（7）欧姆接触金属接触。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||