发明名称 |
用于太赫兹混频器的新型混合集成电路 |
摘要 |
本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路,涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导,GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管,所述GaAs太赫兹肖特基二极管的正面朝上,GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线,GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。所述集成电路降低了器件微组装的工艺难度,与目前常用的混合集成电路形式相比,二极管的组装精度提高,可以降低混频器的变频损耗,使得混频器的测试结果更加接近设计结果。 |
申请公布号 |
CN104158495B |
申请公布日期 |
2017.02.01 |
申请号 |
CN201410401569.9 |
申请日期 |
2014.08.13 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
王俊龙;杨大宝;邢东;梁士雄;张立森;赵向阳;冯志红 |
分类号 |
H03D7/16(2006.01)I |
主分类号 |
H03D7/16(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路,包括两个石英基板电路、一个GaAs基板电路(1)、一个射频波导(2)以及一个本振波导(3),所述GaAs基板电路(1)位于两个石英基板电路之间,第一石英基板电路(4)中的射频过渡微带线(41)横跨在射频波导(2)上,第二石英基板电路(5)中的本振过渡微带线(51)横跨在本振波导(3)上,GaAs基板电路(1)包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管(13),其特征在于:所述GaAs太赫兹肖特基二极管(13)的正面朝上,GaAs太赫兹肖特基二极管(13)焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线,GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接;GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线,石英基板电路通过导电胶与GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线相连,第一微带传输线(44)与第一GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线(11)的金属面在同一高度;第二GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线(12)与本振低通滤波器(52)的金属面在同一高度。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |