发明名称 一种小电流高压硅堆清洗工艺
摘要 本发明涉及一种小电流高压硅堆清洗工艺,步骤为:首先,利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗,将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗;然后,再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗,将经过稀HNO清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗;最后,利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗,将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗;同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,最后,将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理,脱水的时间t<sub>4</sub>=180s,完成清洗。本发明的优点在于:利用本工艺对焊接后的小电流高压硅堆进行清沟,可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质,相应的增加其耐久性及可靠性。
申请公布号 CN104241098B 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201410519686.5 申请日期 2014.09.30
申请人 如皋市大昌电子有限公司 发明人 黄丽凤;王志敏;张龙
分类号 H01L21/02(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人 滑春生
主权项 一种小电流高压硅堆清洗工艺,其特征在于:步骤为:a)首先,利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗,清洗的时间t<sub>1</sub>=222s±5s,混酸溶液的温度 T=10℃±2℃,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以方便高压硅堆能够充分与混酸溶液接触;b)将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以除去高压硅堆表面的混酸溶液;c)然后,再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗,清洗的时间t<sub>2</sub>=22s±1s,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以方便高压硅堆能够充分与稀HNO溶液接触;d)将经过稀HNO<sub>3</sub>清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以除去高压硅堆表面的稀HNO溶液;e)最后,利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗,清洗的时间t<sub>3</sub>=22s±1s,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触;f)将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗,同时,在清洗的过程中,机械臂自动摆动,以除去高压硅堆表面的稀HF溶液;g)最后,将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理,脱水的时间t<sub>4</sub>=180s,完成清洗。
地址 226500 江苏省南通市如皋市柴湾镇镇南村13组