| 发明名称 | 三元体系的无铅压电陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种三元体系的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，三元体系为(1‑4x)NBT‑xBT‑3xKBT体系，其中，0.01≤x≤0.06。本发明不仅避免了传统PZT陶瓷出现的铅污染及铅挥发造成的化学计量比偏离的问题，而且在掺杂Ba和K的过程中，极大地降低了压电陶瓷的矫顽场，使得极化的难度大大降低从而表现出优良的压电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106365632A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610791097.1 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院 | 发明人 | 孙华君;吴宜宸;隋慧婷;段赛红;李洋 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人 | 耿霞 |
| 主权项 | 一种三元体系的无铅压电陶瓷材料，其特征在于：三元体系为(1‑4x)NBT‑xBT‑3xKBT体系，其中，0.01≤x≤0.06。 | ||
| 地址 | 255000 山东省淄博市柳泉路125号先进陶瓷产业创新园A座1008室 | ||