| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括步骤a：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片和位于所述鳍片之下的附属鳍；步骤b：在所述附属鳍两侧形成掺杂层；步骤c：通过驱入退火工艺使所述掺杂层内的掺杂元素扩散入所述附属鳍。该半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少一个鳍片，以及位于所述鳍片之下的附属鳍，所述附属鳍中形成有固态原位掺杂形成的穿通停止掺杂区。该电子装置包括本发明提供的上述半导体器件。本发明提供的制作方法、半导体器件及电子装置，提高了附属鳍的掺杂效果，形成高质量的穿通停止掺杂区，进而获得高性能的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106373885A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201510437188.0 | 申请日期 | 2015.07.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤a：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片和位于所述鳍片之下的附属鳍；步骤b：在所述附属鳍两侧形成掺杂层；步骤c：通过驱入退火工艺使所述掺杂层内的掺杂元素扩散入所述附属鳍。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||