一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、金属铝材料层、停止层和掩膜层的叠层；图案化所述叠层，以形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成第一介电层，并覆盖所述掩膜层；沉积导电材料，以填充所述第一沟槽，并平坦化至所述停止层；去除所述停止层和所述金属铝材料层，以形成第二沟槽；沉积第二介电层，以覆盖所述第二沟槽的侧壁；沉积第三介电层，以填充部分所述第二沟槽，并形成空气间隙。在本发明中选用金属铝材料层代替低K材料层作为牺牲层，可以大大的降低器件的制作成本，简化工艺过程，提高生产效率和器件的良率。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、金属铝材料层、停止层和掩膜层的叠层；图案化所述叠层，以形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成第一介电层，并覆盖所述掩膜层；沉积导电材料，以填充所述第一沟槽，并平坦化至所述停止层；去除所述停止层和所述金属铝材料层，以形成第二沟槽；沉积第二介电层，以覆盖所述第二沟槽的侧壁；沉积第三介电层，以填充部分所述第二沟槽，并形成空气间隙，所述金属铝材料层作为形成所述空气间隙的牺牲层以避免低K材料的不稳定带来的不利影响。