发明名称 一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结及其制备方法和应用
摘要 本发明提供了一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结及其制备方法和应用,制备时以六水硝酸锌、乌洛托品和硼酸为主要反应物,先在柔性衬底PET‑ITO表面离子溅射一层很薄的ZnO籽晶层;然后配制不同浓度硼掺杂的氧化锌前驱体溶液;再在垂直放入的柔性衬底上,水热法生长B掺杂ZnO纳米结构,获得可用作催化剂的B‑ZnO/PET‑ITO异质结。本发明通过水热反应获得的产物具有特殊的片层球形貌,典型的整流特性,对有色偶氮染料活性黄15有较强的降解作用,在异质结二极管、环境治理等领域具有广阔的研究前景,适合大面积生产和应用。
申请公布号 CN106373992A 申请公布日期 2017.02.01
申请号 CN201610831659.0 申请日期 2016.09.19
申请人 陕西理工学院 发明人 于琦;王维;艾桃桃;袁新强;姜立运;李文虎;蒋鹏
分类号 H01L29/22(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B01J31/26(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 H01L29/22(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 岳培华
主权项 一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结,其特征在于:包括在PET‑ITO柔性衬底的表面生长的氧化锌籽晶层,以及在氧化锌籽晶层表面生长的纳米结构的硼掺杂的氧化锌片层球;所述的PET‑ITO柔性衬底的表面是ITO层的上表面,ITO层的下表面与PET层接触;硼掺杂的氧化锌片层球为n型半导体,PET‑ITO柔性衬底为p型半导体,硼掺杂的氧化锌片层球分布在PET‑ITO柔性衬底的表面,形成n‑p异质结结构。
地址 723003 陕西省汉中市河东店陕西理工学院