适于异质结电池片湿法清洗的处理方法

摘要

本发明公开了一种适于制作硅基异质结电池片时表面湿法清洗的处理方法，在进行完去除损伤层、SC1预清洗、制绒工序后采用SC2>SC1>HF>HNO₃/HF>HF的清洗顺序，其中SC2溶液富含HCL，可中和硅片表面制绒时所携带的碱性溶液，有效地去除K离子或Na离子，SC1溶液可去除硅片表面所携带的有机成分，有机成分主要来自制绒液中的有机添加剂。针对目前已知的制作单晶异质结电池片的清洗方法中不能完全去除硅片表面的有机残余、金属离子及改善表面粗糙度的问题，本发明通过合理地设计制绒后的清洗次序及优化各清洗步骤的工艺参数，消除了主要清洗步骤，如SC1，SC2,及HNO3/HF的相互干扰，有效地提高了清洗后硅片表面的洁净度及平滑度。

主权项

一种适于异质结电池片湿法清洗的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：步骤1、将硅片放入碱性溶液中进行去损伤层处理，然后用去离子水漂洗干净；步骤2、将步骤(1)去除损伤层后的硅片用SC1溶液进行预清洗，然后用去离子水漂洗；步骤3、将步骤(2)的硅片放入碱性溶液和制绒添加剂的混合溶液中进行制绒，然后用去离子水漂洗；步骤4、将步骤(3)的硅片用SC2溶液进行清洗，然后用去离子水漂洗；步骤5、将步骤(4)的硅片用SC1溶液进行清洗，然后用去离子水漂洗；步骤6、将步骤(5)的硅片用HF酸溶液进行清洗，然后用去离子水漂洗；步骤7、将步骤(6)的硅片用酸性混合溶液进行抛光腐蚀，然后用去离子水漂洗；步骤8、将步骤(7)的硅片用HF酸进行清洗，然后用去离子水漂洗；步骤9、将步骤(8)的硅片慢提拉脱水，然后用氮气烘干。