| 发明名称 | 一种新型栅结构的GaN基HEMT器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，所述绝缘层的上端设有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源极和漏极之间，所述插孔内插接有对应的直角梯形的底层栅极，所述底层栅极的上端设有顶层栅极。该新型栅结构的GaN基HEMT器件，底层栅极为直角梯形结构，使底层栅极与势垒层的距离呈现阶梯状增加，不是形成突变方式，这种结构可以提高器件的击穿电压，并且不用增加栅极与漏极之间的距离，同时因为底层栅极靠近漏极端的右下角部分不会形成直角的方式，同样会减少器件的热电子效应，从而提高器件的可靠性和使用寿命，而且，通过减少顶层栅极和势垒层之间的距离可以更好的抑制器件电流崩溃效应。 | ||
| 申请公布号 | CN205920974U | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201620846582.X | 申请日期 | 2016.08.08 |
| 申请人 | 苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司 | 发明人 | 李宝国;马京路;韩威;张书敬;张达泉;孙丞;杨荣 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人 | 黄杭飞 |
| 主权项 | 一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)的上端设有沟道层(2)，且沟道层(2)的上端设有势垒层(3)，所述势垒层(3)的上端左右两侧分别设有源极(4)和漏极(5)，且源极(4)和漏极(5)之间设有绝缘层(6)，所述绝缘层(6)的左右两端分别延伸覆盖到源极(4)和漏极(5)的上端，所述绝缘层(6)的上端设有倒直角梯形的插孔(7)，且插孔(7)位于源极(4)和漏极(5)之间，所述插孔(7)的斜边靠近漏极(5)，所述插孔(7)内插接有对应的直角梯形的底层栅极(8)，所述底层栅极(8)的上端设有顶层栅极(9)。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-B403单元 | ||