| 摘要 |
N형 질화물 반도체에서, 예를 들면 AlInGaN(x, y, z는 0<x=1.0, 0=y=0.1, 0=z＜1.0을 만족하는 유리수로, x+y+z=1.0)의 n형 전극을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 n형 반도체층 상에, Ti, V 및 Ta로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속으로 이루어지는 제1의 전극 금속층을 형성한 후, 800℃ 이상 1200℃ 이하의 온도로 열처리를 수행하는 공정, 및 상기 제1의 전극 금속층 상에 Al등의 일함수가 4.0eV∼4.8eV이고, 또한 비저항이 1.5x10Ω·cm∼4.0x10Ω·cm인 금속으로 이루어지는 층을 포함하는 제2의 전극 금속층을 형성한 후, 700℃ 이상 1000℃ 이하의 온도에서 열처리를 행하는 공정을 포함하는 n형 콘택트 전극의 형성 방법이다. |
