| 摘要 |
최소화된 영역을 갖는 반도체 구조물을 갖는 안티-퓨즈 메모리 셀의 제조 방법. 방법은 반도체 구조물의 참조 패턴을 제공하는 단계, 및 참조 패턴의 선택된 모서리들을 반전시키는 것을 포함하는 역 OPC 기술을 적용하는 단계를 포함한다. 역 OPC 기술은 광리소그래픽적 왜곡을 이용하여 참조 패턴에 대해 의도적으로 왜곡된 결과물 제조 패턴을 제공한다. 기하학적 참조 패턴의 모서리들을 반전시킴으로써, 결과물 왜곡 패턴은 원래 참조 패턴에 비해 감소된 영역을 가질 것이다. 이 기술은 반도체 구조물의 선택된 영역의 면적을 감소시키는데 유리하고, 이와 달리 일반 설계 파라미터들을 통해서는 가능하지 않을 것이다. |
