发明名称 CERIUM OXIDE BASED POLISHING PARTICLE SLURRY COMPRISING THE SAME AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 본 발명은 산화세륨 연마재와 이를 포함하는 슬러리 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 산화세륨 연마재의 왜(歪)의 값을 제어함으로써 슬러리 제조 시에 산화세륨 연마재의 입도 분포 및 산포를 줄일 수 있다. 또한, 거대 입자를 포함하지 않는 연마재를 신속하게 얻는 것이 가능하고, 상기 산화세륨 연마재를 이용하여, 적절한 연마 속도를 유지하면서, 스크래치 및 결함의 발생을 감소시키고, 반도체 표면을 정밀하게 연마 가능한 슬러리를 제공할 수 있다.
申请公布号 KR101701005(B1) 申请公布日期 2017.01.31
申请号 KR20140145143 申请日期 2014.10.24
申请人 (주) 엠에스머트리얼즈 发明人 김석수
分类号 C09K3/14;C01F17/00;C09G1/02;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/321 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
主权项
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