发明名称 |
半導体装置、半導体装置の劣化評価方法、半導体装置を含むシステム |
摘要 |
【課題】実使用状態での劣化評価が可能な半導体装置、および、その半導体装置を含むシステムを提供するとともに、実使用状態において、半導体装置の劣化評価を行なう方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に配置された半導体チップと、超音波を発生する発生部と、発生部からの超音波を受信する受信部と、半導体チップ、発生部、および受信部を覆うパッケージ部材と、パッケージ部材から露出するとともに、発生部と電気的に接続される第1の端子と、パッケージ部材から露出するとともに、受信部と電気的に接続される第2の端子とを含む。発生部および受信部は、発生部と受信部とを結ぶ超音波伝搬経路が半導体チップまたは基板の少なくとも一部を通過するように、配置される。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017022310(A) |
申请公布日期 |
2017.01.26 |
申请号 |
JP20150140465 |
申请日期 |
2015.07.14 |
申请人 |
三菱電機株式会社 |
发明人 |
金本 恭三;矢野 新也;木ノ内 伸一;和田 幸彦;中山 靖 |
分类号 |
H01L21/60;G01N29/12;G01N29/34;G01N29/46;G01R31/26 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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