| 摘要 |
【課題】基底面転位から貫通刃状転位への転換率を向上可能な炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶基板３０が準備される。炭化珪素単結晶基板３０上にエピタキシャル成長により炭化珪素層１０が形成される。炭化珪素層１０を形成する工程では、第１時点ａ１において、炭化珪素層１０の成長速度は、第１成長速度Ｖ１になり、第１時点よりも後の第２時点ａ２において、炭化珪素層１０の成長速度は、第２成長速度Ｖ２になり、第２時点よりも後の第３時点ａ３において、炭化珪素層１０の成長速度は、第３成長速度Ｖ３になる。第２成長速度Ｖ２は、第１成長速度Ｖ１および第３成長速度Ｖ３よりも小さい。第１時点ａ１から第３時点ａ３までの間、正の成長速度が維持される。【選択図】図１５ |
