| 摘要 |
本発明の光電変換素子は、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを有する光電変換層を備え、前記超格子半導体層は、障壁層と量子層とを交互に繰り返し積層した超格子構造を有し、かつ、前記障壁層の価電子帯の上端と前記障壁層の伝導帯の下端との間に中間エネルギーバンドが形成されるように設けられ、前記中間エネルギーバンドは、前記超格子半導体層の前記ｐ型半導体層に近い領域から前記超格子半導体層の前記ｎ型半導体層に近い領域にかけて形成され、かつ、バンド幅の広い領域とバンド幅の狭い領域とを有することを特徴とする。 |
