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3차원 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스는 스테어 스텝 구조 및 전도 티어들의 스택을 포함하는 메모리 어레이를 포함한다. 스테어 스텝 구조는 메모리 어레이의 제 1 부분 및 제 2 부분 사이에 위치하고, 전도 티어들의 스택의 각자의 전도 티어에 대한 접촉 영역을 포함한다. 메모리 어레이의 제 1 부분은 스택 위에서 특정 방향으로 연장되는 제 1 복수의 선택 게이트를 포함한다. 메모리 어레이의 제 2 부분은 전도 티어들의 스택 위에서 상기 특정 방향으로 또한 연장되는 제 2 복수의 선택 게이트를 포함한다. 수직 메모리 디바이스를 포함한, 이러한 반도체 디바이스의 형성 방법 및 작동 방법이 또한 개시된다. |
