| 摘要 |
【課題】ＩＧＢＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】アクティブセル領域ＬＣａにおいては、トレンチゲート電極ＴＧ１，ＴＧ２が埋め込まれた溝Ｔ１，Ｔ２に挟まれた部分の半導体基板ＳＳに、ｎ＋型エミッタ領域ＮＥと、その下のｐ型ボディ領域ＰＢと、その下のｎ型ホールバリア領域ＨＢ１とが形成されている。ホールコレクタセル領域ＬＣｃにおいては、トレンチゲート電極ＴＧ３，ＴＧ４が埋め込まれた溝Ｔ３，Ｔ４に挟まれた部分の半導体基板ＳＳに、ｐ型ボディ領域ＰＢと、その下のｎ型ホールバリア領域ＨＢ２とが形成されているが、ｎ＋型エミッタ領域ＮＥに相当するｎ型半導体領域は形成されていない。ｎ型ホールバリア領域ＨＢ１，ＨＢ２の下には、それよりも低不純物濃度のｎ−型ドリフト領域ＮＤが存在している。ｎ型ホールバリア領域ＨＢ２の不純物濃度は、ｎ型ホールバリア領域ＨＢ１の不純物濃度よりも高い。【選択図】図５ |
