发明名称 パターン形成方法
摘要 【課題】有機溶剤現像によるネガティブトーンのパターン形成において、PEB中のレジスト膜のシュリンクを低減し、現像後のトレンチパターンの変形を防ぐことが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含むベース樹脂及び有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、加熱処理後に高エネルギー線で前記レジスト膜を露光する工程、乾燥空気1kg当たりの水分量が10g以上の高湿度環境下で加熱処理をするポストエクスポージャーベークを行う工程、及び有機溶剤の現像液を用いてネガティブパターンを形成する工程を含むパターン形成方法。【選択図】なし
申请公布号 JP2017021092(A) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20150136629 申请日期 2015.07.08
申请人 信越化学工業株式会社 发明人 畠山 潤
分类号 G03F7/38;C08F220/10;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/20;G03F7/32 主分类号 G03F7/38
代理机构 代理人
主权项
地址