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Halbleitervorrichtung mit einem Parallelverbindungsaufbau (1), bei dem ein Hauptschaltelement (1a) und eine erste Diode (1b) parallel zwischen einen ersten Knoten (71) und einen zweiten Knoten (72) geschaltet sind, einem ersten Snubberglied (SD1) mit einem Klemmpegel, der die Durchbruchspannung des Hauptschaltelements (1a) nicht überschreitet, einem zweiten Snubberglied (SD2) mit einem Klemmpegel, der größer gleich der Ausgangsspannung eines Leistungsversorgungsabschnitts (54) zum Liefern elektrischer Leistung an eine Treiberschaltung (53) zum Treiben des Hauptschaltelements (1a) ist, und eine zweite Diode (24), wobei ein Anschluss des ersten Snubberglieds (SD1) über den ersten Knoten (71) mit einem Ende des Parallelverbindungsaufbaus (1) verbunden ist, das entgegengesetzte Ende des ersten Snubberglieds (SD1) über einen dritten Knoten (73) mit einem Anschluss des zweiten Snubberglieds (SD2) verbunden ist, das entgegengesetzte Ende des zweiten Snubberglieds (SD2) über den zweiten Knoten (72) mit dem entgegengesetzten Ende des Parallelverbindungsaufbaus (1) verbunden ist, elektrische Leistung über den zweiten Knoten (72) und den dritten Knoten (73) zu dem Leistungsversorgungsabschnitt (54) zurückgeführt wird, und die zweite Diode (24) zwischen dem dritten Knoten (73) und dem Leistungsversorgungsabschnitt (54) angeordnet ist, wobei die Vorwärtsrichtung der zweiten Diode (24) einer Richtung von dem dritten Knoten (73) zu dem Leistungsversorgungsabschnitt (54) entspricht. |
