发明名称 レーザ装置、光変調装置及び光半導体素子
摘要 化合物半導体材料により形成される光半導体素子と光導波路を含む波長選択反射素子とを有するレーザ装置において、前記光半導体素子は、第1の利得導波路と、第2の利得導波路と、前記第1の利得導波路と前記第2の利得導波路との間に形成されたDBR導波路と、前記第1の利得導波路に電流を流す第1の電極と、前記第2の利得導波路に電流を流す第2の電極と、を有しており、かつ、前記第2の利得導波路が接続される素子端面に反射防止膜が形成されており、前記波長選択反射素子における前記光導波路は、入射した光のうち所定の波長の光を反射するものであって、前記第1の利得導波路と、前記波長選択反射子とが光学的に結合され、前記第1の利得導波路を利得媒質とし、前記DBR導波路と前記波長選択反射素子とで形成されたレーザ共振器を持つことを特徴とする。
申请公布号 JPWO2014115330(A1) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 JP20140558408 申请日期 2013.01.28
申请人 富士通株式会社 发明人 高林 和雅
分类号 H01S5/14;G02B6/12;G02B6/124;G02B6/125;G02B6/42;G02F1/025;H01S5/022;H01S5/026;H01S5/227;H01S5/343 主分类号 H01S5/14
代理机构 代理人
主权项
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