发明名称 |
酸化物半導体膜及び半導体装置 |
摘要 |
【課題】電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置及び当該半導体装置をスイッチング素子として用いた表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いたトランジスタにおいて、該酸化物半導体層の少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にc軸成長し、該表面に平行なa−b面を有する針状結晶群を有し、該針状結晶群以外の部分は非晶質又は非晶質と微結晶とが混在している構成とすることによって、電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置を作製することができる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017022400(A) |
申请公布日期 |
2017.01.26 |
申请号 |
JP20160179127 |
申请日期 |
2016.09.14 |
申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
山崎 舜平;坂倉 真之;渡邊 了介;坂田 淳一郎;秋元 健吾;宮永 昭治;廣橋 拓也;岸田 英幸 |
分类号 |
H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/20;H01L21/477 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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