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자기 메모리 셀 형성 방법이 개시된다. 자성 물질 및 비자성 물질이 본질적으로 어떤 응력변형, 압축 응력변형, 또는 인장 응력변형도 없는 초기 응력 상태로 프라이멀 프리커서 구조체 내로 형성된다. 희생 기능이 없는, 응력 보상-물질, 가령, 희생 기능이 없는, 전도 물질이, 프라이멀 프리커서 구조체 상에 배치되도록 형성되어, 유익한 알짜 응력 상태로 응력-보정된 프리커서 구조체를 형성할 수 있다. 그 후, 응력-보정된 프리커서 구조체가 패턴처리되어 메모리 셀의 셀 코어를 형성할 수 있다. 응력-보정된 프리커서 구조체의 유익한 알짜 응력 상태는, 셀 코어 내에 하나 이상의 자성 영역의 형성을 유도하여, 하나 이상의 자성 영역의 자기 강도 저하없이, 수직 자기 배향을 나타낸다. 메모리 셀, 메모리 셀 구조체, 반도체 소자 구조체, 및 스핀 토크 전달 자기 랜덤 액세스 메모리(STT-MRAM) 시스템이 또한 개시된다. |
