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发明名称 Semiconductor Device and Method of fabricating the same
摘要 기판에 리세스 영역을 형성하고, 상기 리세스 영역 내에 제 1 산화막을 형성하고, 제 1 산화막 상에 다결정 실리콘층을 형성하고, 다결정 실리콘층을 산화시켜 제 2 산화막을 형성한다. 제 2 산화막 상에 리세스 영역을 채우는 갭필 산화막을 형성한다. 다결정 실리콘층의 일부는 제 1 산화막과 제 2 산화막 사이에 잔류한다.
申请公布号 KR20170010267(A) 申请公布日期 2017.01.26
申请号 KR20150101730 申请日期 2015.07.17
申请人 삼성전자주식회사 发明人 문대현;서형원;김일권;이주영;정동진
分类号 H01L21/027;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/762 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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