歪み修正面活性領域を有するＩＩＩ族窒化物ナノワイヤＬＥＤ及びその製造方法

摘要

発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスは、半導体ナノワイヤコアと、半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置されたＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ活性領域量子ウェルシェルとを含む。活性量子ウェルシェルは、同じシェルの低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する高濃度インジウム領域を含む。活性領域量子ウェルシェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有する。少なくとも３つの山の各々は、少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から半径方向に少なくとも２ｎｍ延出する。