窒化物半導体装置

摘要

【課題】高阻止耐圧を確保しつつ、より低オン抵抗化を図る。【解決手段】基板１上にＧａＮ層２、ＡｌＧａＮ層３及びＧａＮ層３を備え、ＧａＮ層２とＡｌＧａＮ層３の界面近傍のＧａＮ層２には２次元電子ガスが、ＡｌＧａＮ層３とＧａＮ層４の界面近傍のＧａＮ層４には２次元ホールガスが形成される。更に、基板１の平面方向において、ゲート領域となるｐ+−ＧａＮ層６が、ソース領域およびドレイン領域となるｎ+−ＧａＮ層９、１０の配列方向に対する垂直方向に複数に分割される。【選択図】図１