| 摘要 |
【課題】暗電流の小さいゲルマニウム受光器を実現する。【解決手段】ゲルマニウム受光器ＰＤ１は、ｐ型シリコンコア層ＰＳＣの上面上に順次積層されたｐ型ゲルマニウム層ＰＧ、ノンドープのｉ型ゲルマニウム層ＩＧおよびｎ型ゲルマニウム層ＮＧから構成され、ｉ型ゲルマニウム層ＩＧの側面にはシリコンからなる第１キャップ層ＣＡ１が形成され、ｎ型ゲルマニウム層ＮＧの上面および側面にはシリコンからなる第２キャップ層ＣＡ２が形成されている。そして、ｎ型ゲルマニウム層ＮＧには、ゲルマニウムの共有結合半径よりも小さい共有結合半径を有する元素、例えばリンまたはヒ素などが導入されている。【選択図】図１ |
