スクライブ方法及びスクライブ装置

摘要

【課題】ＳｉＣウエハをスクライブしブレイクする際に製造時のオフ角に基づく水平クラックの発生を防止すること。【解決手段】オフ角を有するＳｉＣ基板に対してオリフラに垂直にスクライブする際には、ＳｉＣ基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイール２１を用いてスクライブする。これによって水平クラックの発生を少なくすることができる。【選択図】図３Ｂ